反射X線トポグラフおよびTEMによるSiCエピウェハ積層欠陥の評価事例
FTM-1612
1.SICエピウェハの欠陥部外観
2.反射X線トポグラフとTEM観察による欠陥種類の同定事例
SiCエピウェハ表面に観察された結晶欠陥(図1)について、 反射X線トポグラフとTEMにより欠陥種類の同定を行った事例を紹介します。
図2に、反射X線トポグラフによる評価結果を示します。
観察条件では三角形状の積層欠 陥由来のコントラストが観察されています。 一方観察条件2では、ハの字状の部分転位由来のコントラストのみが観察されています。
次に、X線トポグラフで積層欠陥が見られた箇所をFIBでサンプリングし、高分解能TEMにより格子像を観察した結果を図3に示します。
格子の積層順を解析した結果、4H-SiCの間にc/2フランク型積層欠陥が挿入されていることが分かりました。
このように、X線トポグラフ→FIBサンプリング→TEMの連携により、結晶欠陥の詳細な解 析が可能です。
