反射X線トポグラフおよびTEMによるSiのミスフィット転位評価事例
FTM-1616
6インチSiウェハのミスフィット転位評価事例
X線トポグラフィ解析(XRT)に関する技術紹介はこちらから
透過電子顕微鏡法(TEM)に関する技術紹介はこちらから
透過X線トポグラフによるミスフィット転位評価
エピ層と基板の格子定数に差がある場合、格子歪を緩和するため、エピ層と基板の界面付近にミスフィット転位が導入されます。
図1で見られる縦横に伸びた白線がミスフィット転位に相当します。
反射X線トポグラフと断面TEM観察による転位の観察
図2の反射X線トポグラフ像で、縦と横に伸びたミスフィット転位(黒線)が交差する箇所を断面TEM観察した結果が図3です。図3の転位1は横方向、転位2は縦方向のミスフィット転位に相当します。また、図3では、エピ層表面に貫通する転位3も確認できます。
試料ご提供:千葉工業大学 電気電子工学科 山本秀和教授
発表:第61 回応用物理学会春季学術講演会(2014年)19a-PG5-4
