電子後方散乱回折法( Electron Backscatter Diffraction:EBSD )による金属組織の評価および歪の評価
FTM-1603
1.概要
SEMに搭載されているEBSD検出器を用い、電子回折に伴って発生したEBSD(菊池)パターンを取り込み・解析することで様々な組織解析を行います。
電子線後方散乱回折法(EBSD)に関する技術紹介はこちらから
2.装置仕様
| 装置 | ショットキー走査電子顕微鏡 (FE-SEM) |
|---|---|
| 結晶解析が可能な実効最小領域 | 約 0.03μm以上 |
| 測定領域 | nm～mmオーダー (倍率:50~20000倍程度) |
3.得られる情報
(1) 配向性(結晶方位マップ)
(2) 結晶相の分布
(3) 組織(結晶粒の形状、粒径、分布)
(4) 結晶粒界解析
(5) 歪み評価
4.測定可能な材料
結晶性材料全般
| 金属材料 | 鉄系材料 (ステンレス等含む)、アルミニウム (Al)、銀 (Ag)、 ニッケル (Ni) 基超合金 |
|---|---|
| セラミックス | 石英 (SiO2)、アルミナ (Al2O3 ) |
| 半導体材料 | シリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、酸化ガリウム (Ga2O3) |
| その他 | 酸化物、窒化物等 |
5.EBSD測定事例;機械部品の残留γ、パーライト鋼の疲労
