TEM-CBED法による試料膜厚評価手法をご紹介します
2025.09.02技術情報
TEM-CBED法(収束電子回折 Convergent Beam Electron Diffraction)とは電子線を数nmから数十nmの範囲に収束させて電子回折パターン測定を行い、ナノメートルスケールでの高精度な局所構造解析の手法です。結晶の対称性の決定や格子定数の測定、欠陥解析などに適用しますが,新規コンテンツでは極薄の試料膜厚を精度よく評価する事例を紹介します。
下記からご覧ください。
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2025.09.02技術情報
TEM-CBED法(収束電子回折 Convergent Beam Electron Diffraction)とは電子線を数nmから数十nmの範囲に収束させて電子回折パターン測定を行い、ナノメートルスケールでの高精度な局所構造解析の手法です。結晶の対称性の決定や格子定数の測定、欠陥解析などに適用しますが,新規コンテンツでは極薄の試料膜厚を精度よく評価する事例を紹介します。
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