背面反射ラウエ法による単結晶の方位解析

FTM-1801

1.特徴

  • 背面反射ラウエ法により、単結晶材料の結晶方位解析を行います。
  • 一回のラウエパターンの撮影で、主面方位やoff角off方向など、結晶方位に関する情報を一度に解析できます。
図1:背面反射ラウエ撮影配置
図1:背面反射ラウエ撮影配置

2.使用装置

ラウエカメラ

検出器 イメージングプレート(IP)
X線管球 W
評価対象 半導体ウェハ、各種化合物単結晶、Ni基超合金など
測定可能試料サイズ 数cm角の小型結晶~数10cm大のインゴットまで可能

3.評価事例;SiC,酸化物単結晶,ダイヤモンド

図2:各種単結晶材料の背面ラウエパターン
図2:各種単結晶材料の背面ラウエパターン
図3:ダイヤモンドの結晶方位解析事例
図3:ダイヤモンドの結晶方位解析事例

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