イオンミリングによる断面試料作製

AMM-1802

1.イオンミリングとは?

本装置では、Arイオンビームを試料に照射し、スパッタリング現象を用いて試料の表面を削り取ることにより、応力を掛けずに断面試料が作製(断面ミリング)ができます。樹脂包埋・研磨を施した試料表面の加工歪層を除去を目的とした平面ミリングも行うことができます。

	断面ミリング	平面ミリング
使用ガス	Arガス
加速電圧	0～6kV
最大ミリングレート	300μm/h	2μm/h
最大試料サイズ	W20×D12×H7mm	50φ×H25mm
照射角度	90°	0～90°
スイング	±15° ±30° ±40°	+60° 90°
加工範囲	約800μm	5mmΦ
加工時間	長時間	短時間
前処理	荒研磨	鏡面研磨
用途	特定箇所の観察、分析機械研磨では困難な軟材料、薄膜、積層界面、亀裂、ボイドの断面加工 EBSD用前処理	広範囲の観察、分析鏡面研磨の傷やダレの除去 EBSD用前処理 SPM用前処理

通常の機械研磨では欠落してしまう1μm以下の薄膜スケールも断面ミリング加工により観察が可能です。

ダレや傷の入りやすいCuめっきでも平滑な断面が作製可能。界面の微細ボイドおよび電子線チャネリングコントラストにより結晶粒が観察されます。