数100nm径に絞ったGaイオンビームを高電圧(10k~30kV)で加速し、試料表面を走査することで、イオンビームのスッパター効果で表面の微細加工を行ったり、放出される2次電子で表面や加工した形状を観察(SIM像:Scanning Ion Microscope)することが出来ます。
微細加工は通常電子顕微鏡の試料を作るのに使われます。 これまでは電子顕微鏡の試料は機械研磨とイオンミリングで試料を作っていましたが、本装置で作ることで大幅に時間短縮が図れるとともに、SIM像の観察とを併用することで、観察したい場所を正確に決めることが出来ます。(図1)
図1 FIB加工方法
さらに、図2に示します試料ピックアップシステムを導入することにより、試料室内でTEM試料が作成できるようになりました。
図2 試料ピックアップシステム (日立カタログより)
金属、半導体、絶縁体等のTEM試料作成
イオン源
Ga液体金属イオン源
加速電圧
10~30kV
像分解能
10nm
倍率
2.8万倍
最大電流密度
15A/cm2
走査範囲
最大1.8mmx1.8mm