| 評価対象 |
評価内容 |
設備 |
シリコン
（結晶系） |
インゴット |
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- ICP-MS、GD-MS
- 炭素・硫黄分析計
- 酸素・窒素分析計
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| セル |
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- TOF-SIMS、μ-ESCA、FT-IR
- SIMS
- ホール特性測定装置
- FE-SEM／EDX、TEM
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シリコン
（薄膜系） |
セル |
- 表面汚染・付着物分析
- 注入元素の深さ方向分析
- 結晶粒評価
- 結晶性評価
- キャリア濃度、移動度、電気抵抗率測定
- 構造解析（アモルファスシリコン太陽電池の
TEM観察／EDX分析
- I-V特性、C-V特性
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- TOF-SIMS、μ-ESCA、FT-IR
- SIMS
- EBSD
- ラマン分光分析装置
- ホール特性測定装置
- FE-SEM／EDX、TEM
- 電流源、電圧計、LCRメーター
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| 化合物系 |
セル |
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- TOF-SIMS、μ-ESCA、FT-IR
- SIMS
- EBSD
- ラマン分光分析装置
- ホール特性測定装置
- FE-SEM/SEM、TEM、GD-OES
- 電流源、電圧計、LCRメーター
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| 有機薄膜系 |
セル |
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- FT-IR、GC-MS、TG-MS
- μ-ESCA
- ICP-MS
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| 透明電極膜 |
- 不純物分析
- キャリア濃度、移動度、電気抵抗率測定
- 分光透過率測定
- 状態分析
- 構造解析
- 密着性測定
- 表面性状調査
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- ICP-MS
- ホール特性測定装置
- 分光光度計
- μ-ESCA
- FE-SEM/EDX、TEM
- スクラッチ試験機
- レーザー顕微鏡、AFM
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| 反射防止膜 |
- 不純物分析
- 脱ガス分析
- 無機膜構造・状態分析
- 有機膜構造解析
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- ICP-MS
- TDS
- μ-ESCA
- FT-IR、GC-MS、TG-MS
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| 電極・配線 |
- 元素分析
- 硬度測定
- 結晶粒評価
- 電気抵抗測定
- 配線金属と光電変換部間の密着性評価
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- ICP-AES、XRF
- ナノインデンテーション
- EBSD
- 抵抗率計
- スクラッチ試験機
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| バスバー、シャント |
- 絶縁抵抗測定
- 絶縁耐圧測定
- 通電耐久性試験
- 通電疲労試験
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- 絶縁抵抗計
- 耐圧試験器
- 電流源、恒温槽
- 電流源、温度サイクル試験槽
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各種樹脂材料
緩衝材、封止材
バックシート |
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| カバーガラス |
- 成分分析
- 表面汚れ・付着物分析
- 分光透過率測定
- 表面性状調査
- 封止材との密着性評価
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- ICP-AES、ICP-MS
- FT-IR、μ-ESCA、TOF-SIMS
- 分光光度計
- レーザー顕微鏡、AFM
- スタッドプル試験機
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| フレーム材料 |
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- XRF、ICP-AES
- 塩水噴霧試験槽
- サンシャインウェザーメーター
- SEM/EDX
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| 太陽電池パネル |
- 絶縁性評価
- 部分放電特性評価
- 環境試験
- 耐食性評価
- 耐候性評価
- ガス腐食性試験
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- マイグレーション試験装置
- 耐圧試験機
- 温湿度サイクル試験槽等
- 塩水噴霧試験槽
- サンシャインウェザーメーター
- ガス腐食試験機
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| 製造環境 |
- クリーンルーム雰囲気中不純物分析
- 洗浄水中不純物分析
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