特定のエネルギーを有したX線(hν)を物質表面に照射し、そこから放出された光電子の運動エネルギー(EKIN)を測定し、その電子が原子に束縛されていた結合エネルギー(EB)を求める。
EB=hν-EKIN-φ
この結合エネルギー値は原子固有であり、さらに原子の結合状態によりわずかに変動する(化学シフト)。また光電子の強度はその原子の濃度と比例しているため、元素の同定、結合状態の推定、構成元素の比率を求めることが可能である。
写真1 装置:アルバック・ファイ
金属、半導体、無機、有機、高分子など全ての材料の表面分析
検出可能元素
Li以降の全元素
検出下限
0.1~1原子%(元素により異なるが、一般に原子番号の大きい元素の感度が高い)
X線ビーム径
最小9μmφ(従来のXPSでは数mmであったが、当社ではμ-ESCA{図1}を使用しているためX線ビーム径を絞ることが可能。→試料の狭い領域のみの分析が可能)
エネルギー分解能
最高0.5eV(Ag3d5/2)→高分解能状態分析が可能{図2}
深さ方向分析
1nm/min~50nm/min程度まで任意のピッチで測定可能
絶縁物分析
容易
マッピング分析
可能
メーカ
アルバック・ファイ株式会社
型式
Quantera SXM
ビーム径
最小9μmφ、通常100~200μmφ
Ar+イオンガン
0.1~5keV
スパッタ速度
1nm/min~50nm/min
真空度
6.7x10-8Pa
図2 PETの高分解能状態分析