配線間のイオンマイグレーション性評価試験

概要

実装基板の高密度化に伴い、配線の狭ピッチ化と絶縁層の薄膜化が進むため、耐イオンマイグレーションの評価はますます重要になっています。

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  図1　イオンマイグレーションの模式図

測定例

高温高湿環境でのin situ抵抗測定結果

図2において、試料タイプにより絶縁抵抗の経時変化に差が見られます。イオンマイグレーションは温湿度環境と直流バイアス電界によりCuなどの配線材料が酸化還元を繰り返し、導電パスを形成することにより発生します。

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  図2 イオンマイグレーション試験における抵抗値変